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IRF7413QPbF
3200
2800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C iss C oss =C ds +C gd
20
16
I D = 7.3A
V DS = 24V
V DS = 15V
2400
2000
1600
C oss
12
1200
800
400
C rss
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
SEE FIGURE 9
40 50
60
A
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 25°C
T J = 150°C
100
10
100us
10
1ms
V GS = 0V
1
0.4
1.2 2.0 2.8 3.6
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
A
T C = 25 ° C 10ms
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1             1              10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
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